北京低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片现货

EN 引脚有一个内部上拉电流源，从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要，EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时，串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流，防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。芯片供电管脚，用于能量存储，串接一电容到地后将输入能 量传递至LDO 输出级。北京低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片现货

芯片引脚内部有一个上拉电流源(IEN(P))，使得芯片在EN 引脚外部悬空时处于使能状态。同时，上拉电流源同样也可被用于设置外部VIN UVLO 功能的电压阈值和迟滞。引脚EN 引脚电压 VEN 由 VIN 分压得到，当VEN 随着 VIN 上升而大于VEN(R) 时，额外的一个上拉迟滞电流源(IEN(H)) 会被打开从而改变VEN 的电压比，实现上升和下降阈值分别自定义配置的功能。使用如下公式9-1 和公式9-2 可以计算得到指定VIN UVLO 阈值的REN(TOP) 和 REN(BOT) 配置，其中VIN(START) 和 VIN(STOP) 为自定义配置的输入启动电压和关闭电压值。北京低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片现货内部集成门极驱动电路、频率限制电路、 差分放大电路。

芯片BST 引脚和 SW 引脚间需要加入一颗陶瓷电容以稳定支撑芯片内部高侧N-MOSFET 的驱动电源。此处推荐使用不低于10V 耐压的 X5R 或者 X7R 的 0.1μF 陶瓷电容(0603 封装)。采用 COT 控制架构可以实现超快的负载瞬态响应性能。在某些对负载瞬态响应要求更高的应用条件下，还可以通过在输出反馈分压电阻上添加前馈电阻RFF 和电容CFF 来进一步提升瞬态响应性能。考虑到噪声耦合影响，推荐使用RFF = 2 kΩ~10kΩ，另外不要使用高于100pF 的 CFF。注意，实际RFF 和 CFF 为可选器件，推荐以实测负载瞬态响应和输出调整率的结果优化选取。

主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•默认12V输出(FB脚悬空)•待机功耗<50mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8，可以满足客户不同电压需求：220V交流转12V，220V交流转5V，220V交流转15V，220V交流转24V。电感电流的大小由过流保护门限决定，控 制器工作在临界导通模式下，加快了输出电容充电 速度。

设计在 4.5V 到 17V 范围内工作，BUCK 降压变换器要求输入电压高于输出电压才能正常工作，建议比较大工作占空比为75%，则建议的**小输入电压为VOUT/0.75。芯片不允许输出电压高于输入电压，这种情况下输出电压通过高侧功率体二极管向输入电源放电，由此产生的反向电流可能导致不可预测的行为。如果有这种应用条件出现，可以添加串联二极管等方式以阻断此反向电流。电感的选型关系到芯片方案的体积、成本、效率和暂态响应性能。主要考虑电感的3 个关键参数：电感量(L)，电感饱和电流(ISAT) 和电感直流电阻(DCR)。在此时间内过流比较器不翻转且高压 MOSFET 不允许关断。北京低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片现货

。内置开关频率限制 （16kHz-125kHz），可以有效抑制音频噪声和降 低开关损耗。北京低功耗100V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片现货

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